Investigadores del Departamento de Física e Ingeniería de la Universidad de Lancaster (Reino Unido) han dado a conocer el desarrollo de su investigación de componentes electrónicos, en vías muy avanzadas. Disponen de una solución que aunaría la RAM, Random Access Memory, lo que traducido al español sería Memoria de Acceso Aleatorio, la memoria necesaria para que los procesos internos del ordenador funcionen; y la memoria de almacenamiento, donde guardamos nuestros archivos, documentos, fotos, vídeos, etc... Los avances que han conseguido estos investigadores en el desarrollo de componentes electrónicos aportarían una solución que aunaría la RAM y la memoria de almacenamiento en lo que han llamado UltraRAM. Según Ricardo Macías, experto en informática, con quien ha hablado Escudo Digital "De ser así, supondría un paso de gigante que modificaría por completo el mercado y los procesos de producción de los ordenadores y tendría importantes consecuencias en la industria tecnológica".
UltraRAM se ha definido como "una memoria basada en carga donde el estado lógico está determinado por la presencia o ausencia de electrones en una puerta flotante", y con ella los investigadores de la Universidad de Lancaster buscan resolver en un mismo componentes los principales problemas que se encuentran en las memorias de almacenamiento de datos, como flash y las de trabajo, como DRAM, informa Europa Press. .
De la DRAM señalan que para obtener una memoria "rápida y de alta resistencia" es preciso un "estado lógico frágil que se pierde fácilmente", mientras que en el caso de la memoria flash apuntan que al tener un estado lógico robusto y no volátil "requiere grandes cantidades de energía para cambiar, lo que daña la estructura de la memoria y reduce la resistencia", como se recoge en el texto de la investigación.
Se garantizaría una alto volumen de producción y una reducción de costes
En la UltraRAM hay un enorme número de novedades, aunque los investigadores han destacado la estructura de túnel resonante de triple barrera (TBRT), ya que con ella se puede conseguir "una memoria basada en carga con propiedades extraordinarias". Si se compara con las barreras de una sola capa, "se puede cambiar de un estado altamente resistivo eléctricamente a un estado altamente conductivo mediante la aplicación de solo +-2,5V", apuntan.
La idea es incorporar la estructura TBRT en sustratos de silicio, porque entre sus ventajas se encuentra la resistencia mecánica y los tamaños de obleas grandes, facilitando al mismo tiempo un alto volumen de producción y la reducción de los costes.
Según publica ADSL Zone, este cambio de tecnología, en el caso de implantarse, podría acabar con los disccos duros y la memoria RAM, ya que "a los largo de los años ha quedado latente la necesidad de desarrollar una tecnología de memoria capaz de eliminar la necesidad de RAM y almacenamiento por separado". Ni la ram resistiva, ni la RAM magnetorresistiva ni la memoria de cambio de fase pudieron cumplir las expectativas, señalan. Con este descubrimiento se abre una puerta que puede ofrecer un rendimiento mucho mayor a los usuarios de ordenadores, consolas de vídeojuegos, etc.